机构统计存储芯片第三季度价格涨幅明显收窄

2026.09.01

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作者 | 第一财经 王珍

拍摄/第一财经记者王珍

9月1日，调研机构群智咨询（Sigmaintell）发布存储价格风向标显示，2026年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM（动态随机存取存储器）、NAND Flash（闪存）全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到10%以内。

当天，韩国和日本存储芯片龙头企业的股价轻微上升。截至下午2点左右，三星电子涨0.1%至260250韩元/股，SK海力士涨1.25%至1695000韩元/股，铠侠控股涨3.24%至51610日元/股。

群智咨询的数据显示，2026年第三季度DRAM市场继续涨价，但下游接受度分化，以16GB DDR4为例，价格环比第二季度上涨16%。原厂仍有涨价意愿，但PC终端受成本压力影响，整机厂采购趋于保守，DDR单价进一步上涨动能被削弱。

移动端LPDDR涨势受终端备货放缓影响更突出。据群智咨询数据，LPDDR4X（4GB）的价格环比上涨7%；高端LPDDR5X（12GB）价格环比仅上涨3%。此前多轮存储涨价已大幅抬高手机整机成本，手机品牌对存储涨价接受度低，主动控制备货，仅保留高端旗舰机型刚需订单。叠加现货渠道部分贸易商获利清盘、低价出货，进一步约束移动DRAM的价格上行空间。

在NAND Flash方面，群智咨询的数据显示，企业级相关需求为价格提供了一定支撑，不过消费PC客户对涨价的接受度下降，采购备货意愿亦同步收缩。移动端闪存涨势也明显受限，256GB UFS3.1环比上涨11%。

群智咨询副总经理兼首席分析师陈军向第一财经记者分析说，第三季度进入存储厂商与终端厂商博弈时期。今年下半年消费需求显著下降，AI算力端的需求虽然强劲，但是消费终端的采购需求受到抑制，存储价格涨幅大幅收窄。比如，三季度LPDDR4X/5X的1Gb单价已在1.6美元左右，环比涨幅在10%以内，四季度价格环比涨幅预期进一步收窄。这会影响资本市场对于存储原厂后续业绩增幅的预期。

三星电子、SK海力士8月中下旬均发布了2026股东回报计划，三星电子的股东回报计划预计规模为90万亿至110万亿韩元，将落实2024-2026年三年自由现金流50%用于股东回报的规划；SK海力士将回购40万亿韩元的股票，未来三年将把自由现金流至少50%用于股东回报。

9月1日截至下午约2点左右，三星电子的市值约1648.6万亿韩元，SK海力士市值约1220万亿韩元，均比今年8月下旬的市值有所回升，但比它们今年6月各自的市值峰值分别下跌了约30%和42%。

一位存储行业分析师向记者表示，明年存储芯片价格走势已大致确定，不会有太大惊喜，因此对韩日存储龙头来说，预计不一定会出现再破之前市值高峰的状况。